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Allgemeine Beschreibung Der IXYS IXGH30N60C3 ist ein leistungsstarker IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) im TO-247AD Gehäuse. Er bietet eine hohe Spannungsfestigkeit von bis zu 600 V und ist ideal für Anwendungen in der Leistungselektronik, wie z.B. in Wechselrichtern, Motorsteuerungen und anderen Hochleistungsanwendungen. Technische daten Maximale Sperrspannung: 600 V Maximaler Kollektorstrom: 30 A Gehäuse: TO-247AD Schaltverluste: Niedrig Temperaturbereich: -40 °C bis +150 °C Weitere Informationen Der IGBT ist für hohe Effizienz und Zuverlässigkeit ausgelegt. Geeignet für Anwendungen in der industriellen Automatisierung und Antriebstechnik.