Infineon IMZ120R030M1HXKS - SiC-MOSFET 1200V 56A 0R03 TO247-4

CoolSiC™ 1200V SiC-Trench-MOSFETSiliziumkarbid-MOSFETMerkmale Sehr geringe Schaltverluste Schwellwertfreie Durchlasskennlinie Großer Gate-Source-Spannungsbereich Referenz-Gate-Schwellenspannung, VGS(th) = 4,5 V 0-V-Abschalt-Gatespannung für eine einfache und unkomplizierte Gate-Ansteuerung Vollständig steuerbares dV/dt Robuste Body-Diode für harte Kommutierung Temperaturunabhängige Ausschaltverluste Sense-Pin für optimierte Schaltleistung Vorteile Verbesserung der Effizienz Ermöglicht höhere Frequenzen Erhöhte Leistungsdichte Reduzierter Kühlaufwand Reduzierung der Systemkomplexität und der Kosten